應用案例
- 貼片晶振 SMD Crystal
- 石英晶振 Quartz crystal
- 圓柱晶振 KHZ Crystal
- 聲表面諧振器|濾波器 SAW Resonator
- 陶瓷晶振 Ceramic Resonator
- 陶瓷濾波器 Ceramic Filte
- 陶瓷霧化片 Atomization piece
- NJR晶振 NJR CRYSTAL
- 日本大真空晶振 KDS crystal
- 愛普生石英晶振 EPSON Crystal
- 西鐵城晶體 CITIZEN Crystal
- 精工晶體 SEIKO Crystal
- 村田陶瓷諧振器 muRata Crystal
- 京瓷貼片晶振
- NDK石英晶振 NDK CRYSTAL
- CTS晶振 CTS石英晶振
- 大河晶振 日本大河晶體
- TXC石英晶振 臺灣晶技
- 泰藝石英晶振 泰藝SMD晶體
- 鴻星貼片晶振 HOSONIC
- 加高石英晶振 加高石英晶體諧振器
- 臺灣亞陶晶振 亞陶石英晶振
- NAKA晶振 NAKA晶振
- SMI晶振
- AKER晶振 AKER晶振
- NKG晶振 NKG CRYSTAL
- ABRACON晶振 艾博康晶振
- VECTRON晶振 維管晶振
- JAUCH晶振 JAUCH CRYSTAL
- ConnorWinfield晶振 康納溫菲爾德晶振
- Rakon晶振 瑞康晶振
- ECS晶振 伊西斯晶振
- CTS晶振 西迪斯晶振
- GREENRAY晶振 格林雷晶振
- ECLIPTEK晶振 日蝕晶振
- GOLLEDGE晶振 高利奇晶振
- STATEK晶振 斯塔克晶振
- Pletronics晶振 普銳特晶振
- SITIME晶振 可編程晶振
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- DIODES晶振 百利通亞陶晶振
- RALTRON晶振 拉隆晶振
- AEK晶振 安克晶振
- AEL晶振 艾爾晶振
- ILSI晶振 艾爾西晶振
- FOX晶振 ??怂咕д?/strong>
- fujicom晶振 富士通晶振
- CRYSTEK晶振 瑞斯克晶振
- Geyer晶振 格耶電子
- quartzcom晶振 康泰克晶振
- EUROQUARTZ晶振 歐洲石英晶振
- quarztechnik晶振 夸克晶振
- Cardinal晶振 卡迪納爾晶振
- FRE-TECH晶振 弗萊特晶振
- KVG晶振 KVG CRYSTAL
- wi2wi晶振 威爾威晶振
- Transko晶振 特蘭斯科晶振
- suntsu晶振 松圖晶振
- mmdcomp晶振 麥迪康晶振
- MERCURY晶振 瑪居禮晶振
- MTRONPTI晶振 麥特倫皮晶振
- qantek晶振 qantek晶振
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- mti-milliren crystal
- Lihom晶振 Lihom晶振
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- QVS晶振 QVS OSCILLATOR
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- PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
- FCD-Tech晶振 FCD-Tech Crystal
- HEC晶振 HEC crystal
- FMI晶振 FMI crystal
- AXTAL晶振 AXTAL crystal
- SUNNY晶振 SUNNY CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
日本電波工業株式NDK晶振由于制造普通晶體振蕩器(PXO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等涉及高溫處理,所以需要大量電力的過程。通過使產品更加緊湊,可以增加每個工序引入的零件數量。設備功耗幾乎不影響零件數量。因此,每個產品的功耗減少由于增加的部件的數量,然后抑制二氧化碳排放。與這項改革,減少功耗設備也實施。為了快速響應我們的客戶需求,我們整合了我們的基本技術,設計技術,生產技術和制造技術,成功地減少和減輕產品使用最先進的技術。
NDK晶振集團作為“地球內企業”,在保護地球環境方面發揮著領導作用。我們尊重歷史、文化和傳統的多樣性,并致力于“CSR經營”和“環境經營”。為取得社會的信任,為推動環境負荷最小化,集團還開展了各種各樣的活動。
NDK石英晶振在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個產品生命周期中,努力創造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對化學物質進行管理”,實現與地球的和諧相處。
NDK晶振規格 | 單位 | NX2016SF晶振 | 石英晶振基本條件 |
標準頻率 | f_nom | 19.2 - 52 MHz | 標準頻率 |
儲存溫度 | T_stg | −40 - +85 °C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | −30 - +85 °C | 標準溫度 |
激勵功率 | DL | 10μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l |
±10 × 10-6 (標準), (±10 × 10-6 ~ ±12 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.hbdakangmei.com |
頻率溫度特征 | f_tem | ±10 × 10-6/-30°C ~ +85°C | 超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 | CL | 7PF | 不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
Cstray可能從2p??F到6pF不等。
可拉性:在并聯諧振晶體中,頻率隨負載電容CL的變化而變化??烧{性是并聯電容Co運動電容C1和晶體尺寸的函數。
絕緣電阻:晶體引線之間或引線與外殼(金屬外殼)之間的電阻。它在100V±15V的直流電壓下測試,絕緣電阻在500莫姆范圍內。
串聯諧振:當諧振時阻抗最小時發生串聯諧振。其串聯諧振的等效電路是一個電阻。
品質因數:是運動電感,諧振頻率和ESR的質量函數。典型的范圍是從十幾到幾百。
晶體等效電路
示出了石英晶體的等效電路以解釋控制晶體特性和性能的基本元素。它由運動電容C1,電感L1,串聯電阻R1??和分路電容C0組成。前三個參數被稱為石英晶體元件的“運動參數”。
陶瓷諧振器應用說明
一般描述
為什么陶瓷諧振器?在精度方面,陶瓷諧振器位于石英晶體振蕩器和LC / RC振蕩器之間。它們相當小,無需調整,啟動時間更短,成本更低。
封裝:陶瓷諧振器帶有標準的單列直插式封裝(ZTA,ZTB和ZTT),或者帶有內置電容器的3引腳(ZTTS,ZTTCV)。
性質:陶瓷諧振器的振蕩取決于與其壓電晶體結構相關的機械諧振。這些材料(通常是鈦酸鋇或鋯鈦酸鉛)具有較大的偶極子運動,這通過施加的電場引起晶體的變形或生長。
頻率范圍:可用頻率范圍從190 kHz到50 MHz不等。
頻率穩定度:在溫度范圍內(即-20oC至+ 80oC),與25o C的測量頻率相比,最大允許頻率偏差。典型的穩定性為±0.3%(±3000ppm)。
頻率允差:室溫下允許的額定頻率偏差。頻率容差以百分比表示,典型值為±0.5%或百萬分率(ppm),±5000ppm。
諧振阻抗:晶體在工作諧振電路中的阻抗值。
老化:相對頻率在一段時間內發生變化。這種頻率變化率通常是指數性的。通常情況下,10年內的老化率為±0.5%。
負載電容:負載電容(CL)是通過兩個諧振器端子查看電路時振蕩器所表現的電容量。負載電容用一對C1和C2表示,默認值見表格。
等效電路:它的等效電路類似于石英晶體等效電路,即由并聯CO電容并聯的串聯L1,C1,R1電路組成。標準ZTAS-MG-4.00MHz的典型參數如下:L - 330uH,Cl - 5pF,C0 - 40pF和Q?900。
超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式產品
(4)對于可清洗產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用產品。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節內容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。
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